Биография
Родилась в Красноярске в 1961 году. В 1978 году закончила английскую спецшколу с золотой медалью. С 1983 года после получения диплома физического факультета Красноярского госуниверситета работала по специальности в Институте Физики Красноярского Филиала Сибирского отделения Академии Наук СССР. В 1992 году защитила кандидатскую диссертацию.
С 2003 года работала в университетах, научных центрах и компаниях Великобритании, Финляндии, Германии и Литвы. Область исследований: полупроводниковая микроэлектроника. Конкретно, занималась изобретением и изготовлением современных полупроводниковых чипов, начиная с моделирования физических процессов, разработки дизайна будущих приборов, их технологическим воплощением в «чистых комнатах», последующей характеризацией и анализом результатов, и заканчивая написанием статей. Результаты исследований опубликованы в ведущих международных журналах и оформлены в патентах. Последняя заявка на очередной патент подана в сентябре 2023 года.